SK海力士半导体（中国）：DRAM缺口看到2028年，NAND却可能在2027下半年先降价 8月5日，A股存储芯片板块午盘涨超6%、近30只个股涨停，韩股SK海力士涨超6%。但驱动这波行情的预测里藏着一处分叉：DRAM短缺被三星一路喊到2028年，NAND却已被机构预告价格修正。SK海力士半导体（中国）有限公司——这家无锡存续中的外资独资企业，正是集团全球DRAM产能的35%至40%所在。 盘面为什么热：两份预测同时在定价 8月5日，A股存储芯片概念集体冲高：江化微、时空科技、博杰股份、中巨芯等直线涨停，兆易创新、江波龙、佰维存储跟涨；截至午盘板块整体涨幅超6%，涨停或涨幅超10%的个股接近30只。隔夜美股存储股已先行：美光涨超7%、闪迪涨超10%、SK海力士ADR涨超8%。 网易财经 的解读是：全球AI算力部署提速，资金在给"存储短缺"重新定价。 但推动涨价的预测本身并不一致。三星电子在7月30日业绩会上把短缺预期拉长：新建晶圆厂到量产周期超过三年，新增供应2028年前难有显著增长，短缺预计持续到2028年，2027年供应限制甚至比2026年更严峻；同期其DRAM均价环比涨约40%、NAND均价环比涨超60%。 东方财富 整理的这份表态，是"DRAM继续紧"的核心依据。 另一份预测则指向分化。 TrendForce集邦咨询7月30日报告 预计：2026年DRAM容量缺口为1%至2%，2027年缺口进一步扩大，多数DRAM新厂放量落在2027年下半年、产出贡献要到2028年才显著发酵；而NAND Flash在新产能集中释放、消费需求走弱的背景下，2027年下半年供给趋向宽松，价格可能面临修正压力。同一份报告，两个结论。 分化指标：DRAM与NAND的两张时间表 维度 DRAM（含HBM） NAND Flash 机构供需预测 2026年缺口1%-2%，2027年扩大 2027下半年供给趋向宽松 价格方向 三星：短缺持续至2028年，2027年更严峻；瑞银：至少到2028年二季度供不应求 TrendForce：2027下半年价格面临修正压力 供给瓶颈 HBM挤占投片，新增投片无法等比例转化为有效容量 高层数产品升级+新厂产能逐步释放 SK海力士近期指引 Q3 DRAM出货量环比+约10%；HBM4下半年大幅扩产，已与10家大客户签长协 Q3 NAND出货环比仅+1%-4%（低个位数） 结构性需求 AI服务器与HBM刚需（SK海力士HBM一季度全球份额56.4%） 服务器SSD撑场：三星预计今年占其NAND销售超60%、同比增超20个百分点 数据来源：TrendForce报告、三星Q2业绩会、SK海力士7月29日业绩指引（ 东方财富 、 IT之家转载 、 钛媒体 ）。 为什么是这家公司：无锡基地正卡在缺口最深处 按天眼查工商登记，SK海力士半导体（中国）有限公司成立于2005年4月26日，注册于无锡高新区综合保税区K7地块，经营状态存续，外国法人独资，注册资本519586万美元、实缴429586万美元，参保人数4060人；唯一股东为韩国SK海力士株式会社，法定代表人李秉起。 天眼查·工商基础信息 显示其前身可追溯到意法半导体相关合资体（曾用名含"意法半导体有限公司""海力士—恒忆半导体"等），经营范围覆盖8英寸与12英寸集成电路芯片的存储器生产。 这家无锡主体之所以成为本轮行情的"风暴眼"，在于产能位置：据公开报道，2026年初工艺升级后，无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能达18万至19万片，约90%采用1a工艺，产量占SK海力士全球DRAM总产量的30%至40%；2025年集团逆势对无锡工厂投资5811亿韩元、同比增长102%。 今日头条（东亚论坛引述） 与 今日头条 均确认了这一产能占比。也就是说：DRAM越缺、价格越涨，无锡主体越直接受益于集团层面这轮"史上最严重短缺"。 母公司层面的表态把时间窗口拉得更长：7月10日SK海力士以265亿美元完成纳斯达克ADR发行（创外资企业赴美同类发行纪录），CEO郭鲁正当日预警2027年将出现"史上最严重"存储短缺，需求超过产能的局面或持续到2030年以后；瑞银预计全球DRAM至少到2028年二季度仍供不应求。 网易 、 今日头条 对此均有完整记录。 集团三线扩产：中国是"存量"，不是主战场 韩国本土 第一优先级。龙仁Fab1于2025年开工、2027年投产，主攻HBM与下一代DRAM；清州M15X在建；韩国西南集群计划投入400万亿韩元。五年内DRAM月产晶圆计划从约55万片提升至约100万片。 美国 第二优先级。印第安纳州HBM封装基地投资约40亿美元，计划2028年下半年投产；正在评估在美国建设完整晶圆厂，并评估收购英特尔俄亥俄园区。 中国（无锡/大连） 第三优先级但非弃子。无锡DRAM存量升级、占集团全球DRAM产能30%-40%；2026年7月重启大连二期（V8 238层NAND，月产能目标3万至5万片，计划2027年上半年投产），大连基地占集团NAND产能20%以上。 矩阵信息综合自 今日头条 、 网易 与 今日头条（东亚论坛） 。无锡基地属本文主公司，大连基地为集团另一在华主体，不合并表述。 这条"韩国先进产能、美国HBM配套、中国成熟制程存量"的布局，正是本轮分化叙事的关键：无锡主体吃的是通用DRAM短缺红利，而集团在大连的NAND产能，恰好落在TrendForce预告的2027下半年价格修正区间内。 风险观察：涨价叙事背面的四组压力 政策许可的"年度开关"。 2025年9月美国撤销SK海力士在华的"经验证最终用户（VEU）"豁免，2026年起改为年度单一许可，截至7月已获2026年度许可、产线未停摆，但年度审批机制削弱了在华扩产预期，先进制程扩产已全部转向韩国本土与美国。 今日头条（东亚论坛） NAND价格修正直接砸向大连产能。 TrendForce预测2027下半年NAND供给宽松、价格面临修正；集团20%以上NAND产能在中国，若修正兑现，将部分对冲DRAM涨价利润。 中国本土替代在加速。 长鑫存储2026年一季度营收同比增长超700%、全球DRAM份额升至7.67%，预计年底月产能约35万片；长江存储2025至2026年全球NAND份额提高约5个百分点；苹果已传出将长鑫纳入采购名单。 今日头条 、 百度百家 涨价本身招来诉讼与反噬。 6月29日，三星电子、SK海力士、美光遭美国14名个人消费者及小企业起诉，被指涉嫌操纵存储芯片价格；手机等消费终端因成本上涨承压——三星二季度移动业务营业亏损0.7万亿韩元。 新浪财经（中国基金报） 、 东方财富 就主公司自身而言，天眼查风险记录显示：该公司有动产处于抵押状态——"二工厂新建项目"银团贷款额度350000万美元，2020年登记，抵押物含光刻机、蚀刻机、化学气相沉积设备等，贷款人含国家开发银行江苏省分行及农行、建行、中行、工行无锡分行、进出口银行江苏分行，状态显示有效；另有一宗（2024）苏0214民初6061号侵害作品信息网络传播权纠纷，该公司为被告、审理中。 天眼查·企业风险 档案中另有保险代位求偿、建设工程施工合同纠纷等程序性记录，本次未逐一核验正文，不据此作风险结论。 接下来验证什么 2027年上半年 大连二期V8（238层NAND）能否如期投产、月产能是否达到3万-5万片目标 2027年全年 DRAM缺口是否如预期扩大、NAND是否如期转宽松——两线将同时接受验证 份额变量 长鑫存储全球DRAM份额能否突破10%，直接决定无锡主体在中国市场的议价空间 政策变量 美国2027年度许可是否续发、是否重启VEU或转向其他安排 短期看，无锡主体的业绩弹性由DRAM短缺延续时间决定；中期看，它的风险敞口却系于两件不在无锡的事：NAND的价格修正何时兑现，以及母公司在美国与韩国的新产能何时落地。资金在8月5日选择了相信"短缺到2028"，而TrendForce的分化预测提醒：存储这轮行情，可能从"一起涨"走向"分开讲"。 来源 网易财经：全线冲高！涨停潮，存储芯片引爆盘面 东方财富：三星电子2026年二季度财报及业绩会实录 IT之家转载：TrendForce预测DRAM 2027年持续紧缺、NAND转趋宽松 钛媒体：SK海力士计划2026下半年大幅扩充HBM4产能 网易：SK海力士CEO郭鲁正纳斯达克上市日预警（2027最缺、缺到2030年） 今日头条：SK海力士2027年存储供应最紧张，中国DRAM产能占近四成 今日头条（东亚论坛）：SK海力士在华产能与美国年度许可的双轨战略 今日头条：SK海力士CEO紧急预警与瑞银预测 天眼查：SK海力士半导体（中国）有限公司工商基础信息 天眼查：SK海力士半导体（中国）有限公司企业年报（2025） 天眼查：SK海力士半导体（中国）有限公司对外投资 天眼查：SK海力士半导体（中国）有限公司企业风险 新浪财经（中国基金报）：三星、SK海力士、美光在美遭集体诉讼 百度百家：苹果将长鑫存储纳入采购名单